首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 為什么會(huì)有晶振振蕩頻率差異的問(wèn)題呢?該如何解決?
為什么會(huì)有晶振振蕩頻率差異的問(wèn)題呢?該如何解決?
來(lái)源：http://sanctuaryinlakeelmo.com 作者：億金電子 2019年11月20
晶振在智能手機(jī),數(shù)碼電子,汽車(chē)系統(tǒng)等領(lǐng)域有著重要地位,一直以來(lái)作為電路板”心臟”之稱(chēng)的關(guān)鍵元件,晶振從插件發(fā)展至今各種類(lèi)別的貼片晶振封裝,使用量仍在不斷上升.為了更好的使用晶振晶體,了解晶振特性以及可能出現(xiàn)的問(wèn)題,億金電子為大家提供各種技術(shù)資料,以及產(chǎn)品解決方案.比如為什么會(huì)有晶振振蕩頻率偏差的問(wèn)題呢？該如何解決？
如果晶振實(shí)際振蕩頻率偏離標(biāo)稱(chēng)頻率,將考慮以下原因.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同振蕩不正常
1.晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)級(jí)別在驅(qū)動(dòng)級(jí)別規(guī)格之內(nèi)很重要.過(guò)多的驅(qū)動(dòng)水平可能會(huì)導(dǎo)致更高的石英晶體振蕩頻率或更大的R1.如果要降低驅(qū)動(dòng)器級(jí)別,可以采取以下措施.
措施1：大改變阻尼電阻
通過(guò)大幅度改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度將衰減,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平將變低.通過(guò)這種變化,振蕩余量將下降.因此最好檢查振蕩余量是否超過(guò)5倍.另外,需要注意振蕩幅度不要過(guò)小.
措施2：減小外部負(fù)載電容
通過(guò)減小外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際貼片石英晶振驅(qū)動(dòng)電平變低.在這種情況下,實(shí)際的振蕩頻率由于負(fù)載電容小而變高.因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi).
2.實(shí)際晶振晶體負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
晶體單元的振蕩頻率按其規(guī)格中指定的負(fù)載電容排序.因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中指定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱(chēng)頻率不同.您可以通過(guò)以下措施調(diào)整此頻率差.
措施1： 調(diào)整外部負(fù)載電容
為了使外部負(fù)載電容變大,實(shí)際SMD晶振的振蕩頻率變低.請(qǐng)注意,如果外部負(fù)載電容較大,則振蕩容限將較低.外部負(fù)載電容較大時(shí),振蕩幅度可能會(huì)很小.
措施2： 更換指定不同負(fù)載電容的晶振單元
為了使用規(guī)定的大負(fù)載電容的晶體單元,實(shí)際的振蕩頻率會(huì)變高.例）您需要30MHz的頻率,并應(yīng)用一個(gè)標(biāo)稱(chēng)頻率為30MHz的晶振,負(fù)載電容為6pF.但是您可以確定,從30MHz開(kāi)始實(shí)際振蕩頻率低30ppm.實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.因此,您將指定為30MHz的晶振單元更改為8pF作為負(fù)載電容.通過(guò)此更改,實(shí)際的振蕩頻率從30MHz開(kāi)始低5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
3.振蕩不正常
振蕩電路可能不在晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率附近工作.這稱(chēng)為“不規(guī)則振蕩”,如果C-MOS反相器不是非緩沖類(lèi)型,則可能會(huì)發(fā)生.通過(guò)調(diào)節(jié)阻尼電阻和晶振晶體外部負(fù)載電容,可以減少不規(guī)則振蕩的機(jī)會(huì).為了從根本上解決這個(gè)問(wèn)題,有必要使用具有無(wú)緩沖型C-MOS反相器的IC.如果發(fā)現(xiàn)不規(guī)則振蕩,請(qǐng)聯(lián)系IC制造商以確認(rèn)C-MOS逆變器是否為非緩沖型.如果您考慮的IC不是非緩沖類(lèi)型,請(qǐng)考慮將IC替換為具有非緩沖類(lèi)型C-MOS反相器的IC.
*非緩沖類(lèi)型:在以C-MOS逆變器為約束的振蕩電路中,具有單個(gè)C-MOS的逆變器被稱(chēng)為“無(wú)緩沖型”更好.使用多C-MOS或施密特觸發(fā)器類(lèi)型的逆變器不適用于振蕩電路,因?yàn)樗鼈儫o(wú)需晶體即可啟動(dòng)不希望的振蕩.
如果晶振實(shí)際振蕩頻率偏離標(biāo)稱(chēng)頻率,將考慮以下原因.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同振蕩不正常
1.晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)級(jí)別在驅(qū)動(dòng)級(jí)別規(guī)格之內(nèi)很重要.過(guò)多的驅(qū)動(dòng)水平可能會(huì)導(dǎo)致更高的石英晶體振蕩頻率或更大的R1.如果要降低驅(qū)動(dòng)器級(jí)別,可以采取以下措施.
措施1：大改變阻尼電阻
通過(guò)大幅度改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度將衰減,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平將變低.通過(guò)這種變化,振蕩余量將下降.因此最好檢查振蕩余量是否超過(guò)5倍.另外,需要注意振蕩幅度不要過(guò)小.
措施2：減小外部負(fù)載電容
通過(guò)減小外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際貼片石英晶振驅(qū)動(dòng)電平變低.在這種情況下,實(shí)際的振蕩頻率由于負(fù)載電容小而變高.因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi).
2.實(shí)際晶振晶體負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
晶體單元的振蕩頻率按其規(guī)格中指定的負(fù)載電容排序.因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中指定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱(chēng)頻率不同.您可以通過(guò)以下措施調(diào)整此頻率差.
措施1： 調(diào)整外部負(fù)載電容
為了使外部負(fù)載電容變大,實(shí)際SMD晶振的振蕩頻率變低.請(qǐng)注意,如果外部負(fù)載電容較大,則振蕩容限將較低.外部負(fù)載電容較大時(shí),振蕩幅度可能會(huì)很小.
措施2： 更換指定不同負(fù)載電容的晶振單元
為了使用規(guī)定的大負(fù)載電容的晶體單元,實(shí)際的振蕩頻率會(huì)變高.例）您需要30MHz的頻率,并應(yīng)用一個(gè)標(biāo)稱(chēng)頻率為30MHz的晶振,負(fù)載電容為6pF.但是您可以確定,從30MHz開(kāi)始實(shí)際振蕩頻率低30ppm.實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.因此,您將指定為30MHz的晶振單元更改為8pF作為負(fù)載電容.通過(guò)此更改,實(shí)際的振蕩頻率從30MHz開(kāi)始低5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
3.振蕩不正常
振蕩電路可能不在晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率附近工作.這稱(chēng)為“不規(guī)則振蕩”,如果C-MOS反相器不是非緩沖類(lèi)型,則可能會(huì)發(fā)生.通過(guò)調(diào)節(jié)阻尼電阻和晶振晶體外部負(fù)載電容,可以減少不規(guī)則振蕩的機(jī)會(huì).為了從根本上解決這個(gè)問(wèn)題,有必要使用具有無(wú)緩沖型C-MOS反相器的IC.如果發(fā)現(xiàn)不規(guī)則振蕩,請(qǐng)聯(lián)系IC制造商以確認(rèn)C-MOS逆變器是否為非緩沖型.如果您考慮的IC不是非緩沖類(lèi)型,請(qǐng)考慮將IC替換為具有非緩沖類(lèi)型C-MOS反相器的IC.
*非緩沖類(lèi)型:在以C-MOS逆變器為約束的振蕩電路中,具有單個(gè)C-MOS的逆變器被稱(chēng)為“無(wú)緩沖型”更好.使用多C-MOS或施密特觸發(fā)器類(lèi)型的逆變器不適用于振蕩電路,因?yàn)樗鼈儫o(wú)需晶體即可啟動(dòng)不希望的振蕩.
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