MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別：進口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
MEMS硅晶振采用硅為原材料，采用先進的半導(dǎo)體工藝制造而成。因此在高性能與低成本方面，有明顯于石英的優(yōu)勢，具體表現(xiàn)在以下方面：
1) 全自動化半導(dǎo)體工藝(芯片級)，無氣密性問題，永不停振。
2) 內(nèi)部包含溫補電路，無溫漂，-40—85℃全溫保證。
3) 平均無故障工作時間5億小時。
4) 抗震性能25倍于石英振蕩器。
5) 支持1-800MHZ任一頻點，精確致小數(shù)點后5位輸出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種工作電壓匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各種精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝。
9) 標(biāo)準(zhǔn)四腳、六腳封裝，無需任何設(shè)計改動，直接替代石英振蕩器。
10) 支持差分輸出、單端輸出、壓控(VCXO)、溫補(TCXO)等產(chǎn)品種類。
11) 300%的市場增長率，三年內(nèi)有望替代80%以上的石英振蕩器市場。

        自1944年創(chuàng)業(yè)以來，村田得到了巨大的發(fā)展，在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度，營業(yè)額達到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長期以來的大力支持。進口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
        世界經(jīng)濟的前景雖不明朗，但電子設(shè)備社會正在迅速、切實地向前發(fā)展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機。村田制定了新的“中期構(gòu)想2018”以及“長期構(gòu)想”，指明了為電子設(shè)備社會的發(fā)展做貢獻的未來發(fā)展之路。
在通信市場，由于智能手機所安裝元件的增加，以及載波聚合技術(shù)※的普及，村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高，今后，通信市場仍將成為村田的一大支柱。為此，我們將通過供應(yīng)鏈管理而實現(xiàn)的穩(wěn)定供應(yīng)體制，以及范圍廣泛的產(chǎn)品陣容，為通信市場提供新的價值。
        此外，我們也將把汽車、能源、醫(yī)療保健作為重點市場，并提供只有村田才能實現(xiàn)的價值。在新感應(yīng)技術(shù)及通信技術(shù)需求不斷提高的IoT社會，村田將作為一個重要的參與者來體現(xiàn)其存在的價值，并不斷強化制造、技術(shù)開發(fā)及人才開發(fā)等事業(yè)基礎(chǔ)。
        村田晶振的發(fā)展永無止境，而在新的發(fā)展過程中“經(jīng)營理念”也將始終是各項工作的基礎(chǔ)。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經(jīng)營理念”，使村田永遠(yuǎn)成為為客戶和社會而存在的企業(yè)。

Type	CSTCR6M40G55Z-R0
Frequency	6.4MHZ
Frequency Tolerance	±0.50% max. (25±1℃)
Operating Temperature Range	-40℃ to 125℃
Frequency Shift by Temperature	± 0.30%max.
Frequency Aging	±0.10% max./year(±3ppm max./5years)
Wash	Not available
Load Capacitance	39pF
Equivalent Series Resistance(max.)	50Ω
Drive Level(max.)	0.2μW
Shape	SMD
L x W (size)	4.5x2.0mm

        村田無源晶振使用的場合特別多，大部分電路中都會使用到，這也是工程師在做電路設(shè)計中，需要了解了注意的一些問題。首先我們需要了解村田無源晶振有哪些基本特性，其次，我們需要知道村田無源晶振在使用中的基本公式等。
        影響無源晶振穩(wěn)定性的主要有以下幾個參數(shù)：驅(qū)動功率、負(fù)載電容和負(fù)性阻抗。圖一為無源晶振的基本電路。外部的無源晶振、匹配電容和IC內(nèi)部的驅(qū)動部分一起組成整個的振蕩電路。進口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
1）驅(qū)動功率
        驅(qū)動功率表示振蕩晶體單元所需的電功率。如果驅(qū)動功率太小不足以驅(qū)動無源晶振，則會導(dǎo)致晶振不起振；如果驅(qū)動功率過大，則會導(dǎo)致輸出頻率偏移。這是因為功率過大會造成晶體的應(yīng)力，從而導(dǎo)致溫度升高。如果在晶體單元上施加過多的驅(qū)動功率，可能會使晶體惡化甚至損壞其特性。驅(qū)動功率可以通過下面的公式計算：
DriveLevel＝I⊃2;•Re（W）
其中，I表示通過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的等效電阻。
        那么如何避免這種問題呢？電阻RD常用來防止晶振被過分驅(qū)動，可用一臺示波器檢測OSC輸出腳，如果檢測到非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合時鐘輸入需要，則晶振未被過分驅(qū)動；相反，如果正弦波形的波峰，波谷兩端被削平，而使波形成為方形，則晶振被過分驅(qū)動。這時就需要用電阻RD來防止晶振被過分驅(qū)動。判斷電阻RD大小的最簡單的方法就是串聯(lián)一個微調(diào)電阻，從0開始慢慢調(diào)高，一直到正弦波不在被削平為止，通過此辦法就可以找到最接近的電阻RD值。

2）負(fù)載電容
        理論上，當(dāng)無源晶振電路的等效電容等于負(fù)載電容時，無源晶振輸出的頻率最準(zhǔn)確。而電容具有充放電的功能，電容容值越大，放電越慢，電容容值越小，放電越快。如果測得的實際頻率比理論值偏小，說明振蕩器振蕩頻率偏慢，電容的放電太慢，等效電容大于負(fù)載電容，需要降低外部的匹配電容。負(fù)載電容公式如下：
CL=（CG//CD）+CS
即：CL=[（CGxCD）/（CG+CD）]+CS
其中，CG、CD表示匹配電容，CS表示雜散電容。
        頻率容限和負(fù)載電容的特性關(guān)系，負(fù)載電容越大，頻率容限越小，輸出的頻率越容易調(diào)準(zhǔn)。

3）負(fù)性阻抗
        負(fù)性阻抗是用來評價振蕩回路品質(zhì)（Q）的指標(biāo)。在某些情況下（老化，溫度變化，電壓變化…等），振蕩回路會失效，回路可能不起振，因此負(fù)性阻抗（Negativeresistance，-R）的確認(rèn)就變得相對重要。穩(wěn)定的振蕩回路，負(fù)性阻抗（-R）至少為Crystal阻抗的5倍以上。
1>串聯(lián)電阻R到Crystal的輸出端（Xout）；
2>調(diào)整R值，使Crystal由起振至停止振蕩；
3>當(dāng)電路由起振至停止振蕩時，測量R值；
4>得到負(fù)性阻抗|-R|=R+Re，Re=R1（1+C0/CL）^2，R1就是ESR的值。
        由上可知負(fù)載電容CL是非常重要的因素。例如，負(fù)載電容小的晶體，驅(qū)動功率小，消耗電流小，啟動時間短，容易起振，同時也使頻率容限大和更壞的頻率穩(wěn)定度。因此在無源晶振選型時，需要充分考慮到這些特性，這樣才能設(shè)計出可靠的產(chǎn)品。