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DSV531SV壓控振蕩器,KDS進(jìn)口石英振蕩器,貼片晶振型號,計算機(jī)晶振,"1XVC059941VB",KDS日本大真空晶體集團(tuán)公司所生產(chǎn)的石英溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),數(shù)字溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(DCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),晶體濾波器(Crystal Filter).晶體諧振器主要生產(chǎn)頻率范圍:從1.8MHZ→100.000MHZ;晶體振蕩器主要生產(chǎn)頻率范圍:1.000MHZ→1000MHZ.其中 OCXO恒溫晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)到±0.01PPM,KDS晶振性能穩(wěn)定,精度高,體積小,在惡劣環(huán)境也能正常工作,TCXO溫補(bǔ)晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作. 具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.
項目 | 記 號 | DSV531SV | 條 件 |
頻率 | f_nom | 1.25~80MHZ | |
頻率容許偏差 | f_tol | ±20x10−6, ±50x10−6 | |
頂點溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -10°C~+70°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -40°C~+80°C | 單件保管 |
"1XVC059941VB"一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ 1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶體的電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶體的阻力。
"1XVC059941VB",大真空晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
2003年大真空進(jìn)口晶振通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.
聯(lián)系人:黃娜
公司:深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話:0755-27876565
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QQ:857950243
郵箱:yijindz@163.com
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